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IPP023NE7N3 G Image
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IPP023NE7N3 G

工場モデル IPP023NE7N3 G
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 75V 120A TO220
パッケージ
株式 3773 pcs
データシート IPP023NE7N3 G, IPI023NE7N3 G
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3773のInfineon Technologies IPP023NE7N3 Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - テスト 14400pF @ 37.5V
電圧 - ブレークダウン -
同上@ VGS（TH）（最大） 2.3 mOhm @ 100A, 10V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ OptiMOS™
RoHSステータス Cut Tape (CT)
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 120A (Tc)
偏光 TO-220-3
他の名前 IPP023NE7N3 GCT
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
製品属性 属性値
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
製造元の部品番号 IPP023NE7N3 G
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 206nC @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 3.8V @ 273µA
FET特長 N-Channel
拡張された説明 N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole
ソース電圧（VDSS）にドレイン -
説明 MOSFET N-CH 75V 120A TO220
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 75V
静電容量比 300W (Tc)

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